收藏本站
NXP Semiconductors
PESD5V0V1BLD
Very low capacitance bidirectional ESD protection diode
10 3
P PP
(W)
10 2
10
006aab606
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
0.4
001aaa193
1
1
10
10 2
t p ( μ s)
10 3
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
Fig 4.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 5.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
12
006aab607
10 3
006aab608
I RM
C d
(pF)
I RM(25 ° C)
10 2
10
10
1
8
10 ? 1
6
0
1
2
3
4
V R (V)
5
10 ? 2
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 7.
Relative variation of reverse leakage current
as a function of junction temperature; typical
values
PESD5V0V1BLD
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 1 — 7 December 2010
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
5 of 14
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
PESD5V0V1BSF,315 DIODE BIDIR ESD PROT SOD962
PESD5V0X1BL,315 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOD-882
PESD5V0X1BQ,115 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOT-663
PESD5V0X1UAB,115 DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD523
PESD5V0X1UALD,315 DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD882
PESD5V0X1UB,135 DIODE ESD ULT LOW CAP UNI SOD523
PESD5V0X1ULD,315 DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD882
PESD5V2S18U,118 ARRAY ESD PROTECTION 20SSOP
相关代理商/技术参数
PESD5V0V1BSF 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD 5V BIIDIR 3.5PF SOD962 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, 5V, BIIDIR, 3.5PF, SOD962
PESD5V0V1BSF,315 功能描述:ESD 抑制器 BIDIRECTIONAL CAPACITANCE ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C
PESD5V0V1BSF_11 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low profile bidirectional very low capacitance ESD protection diode
PESD5V0V1USF,315 功能描述:DIODE ESD PROTECTION SOD962 RoHS:是 类别:未定义的类别 >> 其它 系列:* 标准包装:1 系列:* 其它名称:MS305720A
PESD5V0V1USF315 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
PESD5V0V2BMBYL 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12.5VC XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:18pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:DFN1006B-3 标准包装:1
PESD5V0V2BMYL 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12.5VC XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:18pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 标准包装:1
PESD5V0V4UF 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员